被美光抢先推出176层闪存 三星回应技术延误：明年追上

发布于：2020-11-14 12:50:12  栏目：技术文档

　　在 3D 闪存技术上，作为全球闪存最大厂商的三星一直是领先的，堆栈层数也是最多的，不过美光日前率先推出了 176 层堆栈的 3D 闪存，进度比三星要快。

　　根据美光的说法，176 层闪存其实是基于两个 88 层叠加而成，第一批为 TLC 颗粒，单个 Die 的容量为 512Gb (64GB)，当然后期很可能会加入 QLC。

　　更重要的是，美光不只是宣布了新技术，而且 176 层闪存已经量产并出货了，已经用于一些 Crucial 英睿达品牌的消费级 SSD，明年还会发布更多新产品。

　　在 176 层闪存技术上，美光这一波操作确实可以，后来者居上了，他们在全球闪存市场份额上是大幅落后于三星、东芝、西数的，尤其是三星一直是领头羊。

　　对于这次没能首发新一代闪存，韩国媒体爆料称三星是遇到技术问题，原本他们计划一次性堆栈到 190 层以上，现在也降低目标到 176 层。

　　此外，美光、SK 海力士都准备用双堆栈技术做 176 层闪存，三星原本希望用单堆栈技术做到 200 层，发现技术上不可行，导致进度落后了。

　　报道称，三星高层虽然拒绝承认技术延误了，但不得不承认进度确实落后了一截，高官表示技术变化导致他们花费更多时间和投资修改制程，预计明年才能（推出 176 层）闪存。

　　三星追赶的时间可能是在明年 Q1 季度后，预计 2021 年 4 月份推出 176 层或者更低一些的 160 层闪存。

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